DTA114EM3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 35, 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-723-3 封装。
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DTA114EM3T5G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 35, 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-723-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital TransistorsNSVDTA114EM3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedNSVDTA114EM3T5G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000089 oz。
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