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Panasonic
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 1000 mA,采用 Mini-P3-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT技术资料参考
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Panasonic
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 1000 mA,采用 Mini-P3-3 封装。
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