DS28EC20P+
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 20 kbit、电源电压(最小值) 3.3 V、电源电压(最大值) 5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 80,采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM技术资料参考
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Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 20 kbit、电源电压(最小值) 3.3 V、电源电压(最大值) 5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 80,采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMAnalog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 20 kbit、电源电压(最小值) 4 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 5 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 80,采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMMaxim Integrated
主要参数包括型号别名 90-F431V+000 DS28EC20P、单件重量 0.001799 oz,采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMAnalog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 20 kbit、电源电压(最小值) 4 V、电源电压(最大值) 5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 80、数据保持时间 40 Year,采用 TSOC-6 封装。
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