DS28E25P+
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、工作电源电压 2.97～3.63 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 16，采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
DS28E25P+
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、工作电源电压 2.97～3.63 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 16，采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS28E25P+T
Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 DS28E25P。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS28E25P+T
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 16、数据保持时间 10 Year，采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM