DS28E25+
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 4 k x 1，采用 TO-92-2 封装。
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DS28E25+
Analog Devices / Maxim Integrated
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、接口类型 1-Wire、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 菲律宾，采用 TO-92-2 封装。
半导体 > Security ICs / Authentication ICsDS28E25+T
Maxim Integrated
EEPROM 1-W 4KB EEPROM W/SHA-256 3-TO92
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS28E25+T
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 16、数据保持时间 10 Year，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS28E25G+T
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、工作电源电压 2.97～3.63 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 16，采用 SFN-2 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS28E25G+T
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、工作电源电压 2.97～3.63 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 16，采用 SFN-2 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS28E25P+
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、工作电源电压 2.97～3.63 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 16，采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS28E25P+
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、工作电源电压 2.97～3.63 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 16，采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS28E25P+T
Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 DS28E25P。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS28E25P+T
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 16、数据保持时间 10 Year，采用 TSOC-6 封装。
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