DS2502+
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 2.8 V、工作电源电压 2.8~6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP,采用 TO-92-3 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROM技术资料参考
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Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 2.8 V、工作电源电压 2.8~6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP,采用 TO-92-3 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMAnalog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 2.8 V、工作电源电压 2.8~6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP,采用 TO-92-3 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMMaxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 2.8 V、工作电源电压 2.8~6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP,采用 TO-92-3 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMAnalog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 2.8 V、工作电源电压 2.8~6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP,采用 TO-92-3 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMMaxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 2.8 V、工作电源电压 2.8~6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP,采用 TO-92-3 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMAnalog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 2.8 V、工作电源电压 2.8~6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP,采用 TO-92-3 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMMaxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 2.8 V、工作电源电压 2.8~6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP,采用 TO-92-3 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMMaxim Integrated
该型号为存储器,主要参数包括存储容量 1 kbit、工作电源电压 12 V、存储器类型 EPROM、产品 Evaluation Kits、评估对象 DS2502、型号别名 DS2502。
半导体 > Memory ICs > Memory IC Development ToolsMaxim Integrated
主要参数包括型号别名 90-2502H+000 DS2502G。
半导体 > Memory ICs > EPROMMaxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 2.8 V、工作电源电压 2.8~6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP,采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROM