DS24B33+
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 2.8～5.25 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 16，采用 TO-92-3 封装。
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DS24B33+
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 2.8～5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 16，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS24B33+T&R
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 2.8～5.25 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 16，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS24B33+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 2.8～5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 16，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS24B33G+T&R
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5.25 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 16，采用 SFN-2 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS24B33G+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 16，采用 SFN-2 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS24B33G+U
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5.25 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 16，采用 SFN-2 封装。
半导体 > 集成电路 > Memory ICs > EEPROMDS24B33Q+T&R
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5.25 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 16，采用 TDFN-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS24B33Q+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 16，采用 TDFN-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS24B33Q+U
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 2.8～5.25 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 16，采用 TDFN-6 封装。
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