DS2430AP+
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 256 位、电源电压(最小值) 2.8 V、电源电压(最大值) 6 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 32 x 8,采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM技术资料参考
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Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 256 位、电源电压(最小值) 2.8 V、电源电压(最大值) 6 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 32 x 8,采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMAnalog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 256 位、电源电压(最小值) 2.8 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 32 x 8,采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMMaxim Integrated
主要参数包括存储容量 256 位、电源电压(最小值) 2.8 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 32 x 8,采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMAnalog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 256 位、电源电压(最小值) 2.8 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 32 x 8,采用 TSOC-6 封装。
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