DS1312S+
Maxim Integrated
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作电源电压 5 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)，采用 SOIC-16 封装。
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DS1312S+
Analog Devices / Maxim Integrated
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)、备用电池切换 是，采用 SOIC-16 封装。
半导体 > Memory ICs > Memory ControllersDS1312S+T&R
Maxim Integrated
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作电源电压 5 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)，采用 SOIC-16 封装。
半导体 > Memory ICs > Memory ControllersDS1312S+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)、备用电池切换 是，采用 SOIC-16 封装。
半导体 > Memory ICs > Memory ControllersDS1312S-2+
Maxim Integrated
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作电源电压 5 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > Memory ControllersDS1312S-2+
Analog Devices / Maxim Integrated
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)、备用电池切换 是，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > Memory ControllersDS1312S-2+T&R
Maxim Integrated
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作电源电压 5 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > Memory ControllersDS1312S-2+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、存储器类型 Nonvolatile RAM - NVRAM、类型 Non-Volatile RAM (NVRAM)、备用电池切换 是，采用 SOIC-8 封装。
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