DI0A35N06PGK
Diotec Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。
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DI0A35N06PGK-AQ
Diotec Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 350 mA、漏源导通电阻（Rds On） 1.4 Ω，采用 SOT-883-3 封装。
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