DHG60U1200LB
IXYS
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 2 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 SMPD-9 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
DHG60U1200LB-TRR
IXYS
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 2 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 SMPD-9 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDHG60U1200LB-TUB
IXYS
主要参数包括技术 Si、类型 Three Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 60 A、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 2.92 V，采用 SMPD-9 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers