DHG40I4500KO
IXYS
该型号为半导体器件,主要参数包括类型 Fast Recovery Diode、产品 Diode Power Modules、正向电压(Vf) 3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、配置 Single,采用 ISOPLUS264-2 封装。
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IXYS
该型号为半导体器件,主要参数包括类型 Fast Recovery Diode、产品 Diode Power Modules、正向电压(Vf) 3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、配置 Single,采用 ISOPLUS264-2 封装。
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