DBLS104G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括单件重量 1.269863 oz，采用 DBLS-4 封装。
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DBLS104G RD
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDBLS104G RDG
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 1A,400V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDBLS104G-T
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDBLS104G-T C1G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDBLS104G-T RDG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDBLS104GH
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDBLS104GHRD
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDBLS104GHRDG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersHDBLS104G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 1.269863 oz，采用 DBLS-4 封装。
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