DBL105G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A，采用 DBL-4 封装。
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DBL105G C1
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A，采用 DBL-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDBL105G C1G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDBL105G-T
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDBL105G-T CBG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。
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Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDBL105GHC1
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。
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Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersHDBL105G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 1.269863 oz，采用 DBL-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersHDBL105G C1
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBL-4 封装。
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