D2SB60
Taiwan Semiconductor
主要参数包括型号别名 D2G D2SB60，采用 GBL-4 封装。
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芯片技术资料
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D2SB60 C2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 80 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersD2SB60 D2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 80 A、最小工作温度 - 55 C，采用 SIP-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersD2SB60-7000
Shindengen
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 80 A、最小工作温度 - 40 C，采用 2S 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersD2SB60A-7000
Shindengen
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 120 A、最大工作温度 + 150 C，采用 2S 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersD2SB60H
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersD2SB60HD2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
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