CMKT2907A
Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、集电极-发射极饱和电压 1.6 V,采用 SOT-363-6 封装。
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Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、集电极-发射极饱和电压 1.6 V,采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTCentral Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括型号别名 CMKT2907AG PBFREE TR,采用 SOT-363 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTCentral Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、原产国家或地区 中国台湾。
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