CGHV40100P
Cree, Inc.
该型号为射频结型场效应晶体管。
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CGHV40100P
MACOM
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括最大工作频率 3 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 440206 封装。
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