CGH27030P
Wolfspeed / Cree
该型号为射频结型场效应晶体管,主要参数包括工作频率 2.7 GHz、技术 氮化镓(GaN)、晶体管类型 HEMT、增益 15 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 120 V,采用 440196 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > 射频结型场效应晶体管技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Wolfspeed / Cree
该型号为射频结型场效应晶体管,主要参数包括工作频率 2.7 GHz、技术 氮化镓(GaN)、晶体管类型 HEMT、增益 15 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 120 V,采用 440196 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > 射频结型场效应晶体管MACOM
该型号为氮化镓场效应晶体管,主要参数包括最大工作频率 2.7 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 氮化镓(GaN)、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 120 V,采用 440196 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 氮化镓场效应晶体管