CG40
MACOM
RF Amplifier 500-4000MHz IL <3dB Max. Attn >28dB SMA
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技术资料参考
芯片技术资料
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MCG40N03-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000991 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsMCG40N10Y-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000991 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsMCG40N10YHE3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 40 A、漏源导通电阻（Rds On） 17 mOhms。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsMSMCG40A/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 44.4 V、工作电压 40 V、钳位电压 64.5 V，采用 DO-215AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsMSMCG40AE3/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 44.4 V、工作电压 40 V、钳位电压 64.5 V，采用 DO-215AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors