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Sharp Microelectronics
- LM2576T-ADJ/NOPBTexas Instruments相似型号
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技术资料参考
芯片技术资料
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CG30
MACOM
RF Amplifier 100-2000MHz IL <3dB Max Attn >38dB SMA
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMCG30N03-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N- Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 30 A，采用 DFN3030-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETMCG30N03A-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000991 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsMCG30N04HE3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 30 A、漏源导通电阻（Rds On） 14.3 mOhms。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsMCG30P03-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000991 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsMSMCG30A/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 33.3 V、工作电压 30 V、钳位电压 48.4 V，采用 DO-215AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsMSMCG30AE3/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 33.3 V、工作电压 30 V、钳位电压 48.4 V，采用 DO-215AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors