CE3514M4
CEL
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、连续漏极电流（Id） 10 mA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、耗散功率（Pd） 125 mW。
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CE3514M4-C2
CEL
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 12 GHz、技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、增益 12.2 dB、漏源击穿电压（Vds） 4 V、栅源击穿电压（Vgs） - 3 V，采用 minimold-4 封装。
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