TPCA8120,L1Q
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 45 A，采用 SOP-8 封装。
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TPCA8120,LQ(CM
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 45 A，采用 SOP-Advance-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETTPCA8128,LQ(CM
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、类型 Power MOSFET、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V，采用 SOP Advance-8 封装。
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