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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

1 个原型号

原型号

HFA1110IBZ

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 5 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

VCA810AIDTexas Instruments相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

16 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

CA81

MACOM

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。

半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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CA81-1

MACOM

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。

半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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CA81-2

MACOM

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。

半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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CA81-3

MACOM

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。

半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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TPCA8104(TE12L,Q,M

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 40 A，采用 SOP-Advance-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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TPCA8107-H(TE12LQM

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 7.5 A，采用 SOP-Advance-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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TPCA8108(TE12L,Q,M

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 40 A，采用 SOP-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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TPCA8120,L1Q

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 45 A，采用 SOP-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs

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TPCA8120,LQ(CM

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 45 A，采用 SOP-Advance-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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TPCA8128,LQ(CM

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、类型 Power MOSFET、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V，采用 SOP Advance-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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