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第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

3 个原型号
原型号

S-1003CA35I-I6T1U

ABLIC Inc.

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  • S-1003CB35I-I6T1UABLIC Inc.参数相近
原型号

S-80835CLMC-B6UT2U

ABLIC Inc.

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • S-1002CA35I-M5T1UABLIC Inc.参数相近
原型号

XC6118C35AMR-G

Torex Semiconductor Ltd

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  • S-1002CA35I-M5T1UABLIC Inc.参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

7 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

CA35

MACOM

RF Amplifier 10-2000MHz NF 5dB Pout 9dBm SMA Conn.

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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CA3509M4

CEL

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、测试频率 1.575 GHz、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 12 dBm、增益 17 dB,采用 SMD-4 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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CA3509M4-C2B

CEL

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、测试频率 1.575 GHz、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 12 dBm、增益 17 dB,采用 SMD-4 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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FCA35N60

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 600 V N-Channel MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 650 V,采用 TO-3PN-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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S-1002CA35I-M5T1U

ABLIC

主要参数包括电源电压(最大值) 10 V、电源电压(最小值) 0.95 V、类型 Voltage Detectors、输出类型 Active Low, CMOS、阈值电压 3.5 V、监控输入数 1 Input,采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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S-1003CA35I-I6T1U

ABLIC

主要参数包括类型 Voltage Detectors,采用 SNT-6A-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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S-1003CA35I-M5T1U

ABLIC

主要参数包括类型 Voltage Detectors、单件重量 0.003951 oz,采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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