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8 条型号记录

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BZX84C9V1W

Diotec Semiconductor

该型号为二极管。

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BZX84C9V1W-7-F

Diodes Incorporated

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 9.1 V、耗散功率(Pd) 200 mW、电压容差 6 %、电压温度系数 5.4 mV/C、稳压管电流 5 mA、稳压管阻抗(Zz) 15 Ω,采用 SOT-323 封装。

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BZX84C9V1W-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为二极管,主要参数包括配置 Single。

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BZX84C9V1WHE3-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为二极管。

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BZX84C9V1W_R1_00001

Panjit

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 9.1 V、耗散功率(Pd) 200 mW、最大反向漏电流(Ir) 500 nA、稳压管阻抗(Zz) 15 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-363-6 封装。

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BZX84C9V1W_R1_10001

Panjit

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 9.1 V、耗散功率(Pd) 200 mW、最大反向漏电流(Ir) 500 nA、稳压管阻抗(Zz) 15 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-363-6 封装。

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BZX84C9V1W_R2_00001

Panjit

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 9.1 V、耗散功率(Pd) 200 mW、最大反向漏电流(Ir) 500 nA、稳压管阻抗(Zz) 15 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-363-6 封装。

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BZX84C9V1W_R2_10001

Panjit

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 9.1 V、耗散功率(Pd) 200 mW、最大反向漏电流(Ir) 500 nA、稳压管阻抗(Zz) 15 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-363-6 封装。

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