BZX84C3V3LT1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 6 %、电压温度系数 - 1.75 mV/K、稳压管电流 10 mA、稳压管阻抗（Zz） 95 Ω，采用 SOT-23-3 封装。
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原厂资料
2 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 资料 |
|---|---|---|---|
| BZX84C3V3ET3G | onsemi |
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| BZX84C3V3LT3G | onsemi |
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技术资料参考
芯片技术资料
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BZX84C3V3LT1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 5 uA、稳压管阻抗（Zz） 95 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSZBZX84C3V3LT1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压温度系数 - 3.5 mV/K to 0 mV/K、稳压管电流 5 uA、稳压管阻抗（Zz） 95 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSZBZX84C3V3LT1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 5 uA、稳压管阻抗（Zz） 95 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-23-3 封装。
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