BZX84C2V4LT1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 8 %、电压温度系数 - 1.75 mV/K、稳压管电流 10 mA、稳压管阻抗（Zz） 100 Ω，采用 SOT-23-3 封装。
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BZX84C2V4LT1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 50 uA、稳压管阻抗（Zz） 100 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-23-3 封装。
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ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 - 1.75 mV/K、稳压管电流 20 mA、稳压管阻抗（Zz） 100 Ω，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSZBZX84C2V4LT1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 50 uA、稳压管阻抗（Zz） 100 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-23-3 封装。
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