BZX84B43
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 43 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 150 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 SOT-23 封装。
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BZX84B43-7-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84B43-AU_R1_000A1
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 43 V、耗散功率（Pd） 410 mW、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 150 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84B43-E3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 43 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 1.2 mV/C、稳压管电流 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 150 Ω，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84B43-E3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 43 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 1.2 mV/C、稳压管阻抗（Zz） 150 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84B43-G3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 43 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 1.2 mV/C、稳压管阻抗（Zz） 150 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84B43-G3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 43 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 1.2 mV/C、稳压管阻抗（Zz） 150 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84B43-HE3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 43 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 1.2 mV/C、稳压管阻抗（Zz） 150 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84B43-HE3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 43 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 1.2 mV/C、稳压管阻抗（Zz） 150 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84B43-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000282 oz。
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