BZX84B16LT1G
ON Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 16 V、耗散功率(Pd) 250 mW、电压温度系数 10.4 mV/K to 14 mV/K、稳压管电流 50 nA、稳压管阻抗(Zz) 40 Ω、最小工作温度 - 65 C,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 资料 |
|---|---|---|---|
| BZX84B16LT1G | onsemi |
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技术资料参考
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ON Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 16 V、耗散功率(Pd) 250 mW、电压温度系数 10.4 mV/K to 14 mV/K、稳压管电流 50 nA、稳压管阻抗(Zz) 40 Ω、最小工作温度 - 65 C,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesON Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 16 V、耗散功率(Pd) 250 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 14 mV/K、稳压管电流 5 mA、稳压管阻抗(Zz) 40 Ω,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodesonsemi
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 16 V、耗散功率(Pd) 250 mW、电压容差 2 %、最大反向漏电流(Ir) 50 nA、稳压管阻抗(Zz) 40 Ω、最小工作温度 - 65 C,采用 SOT-23-3 封装。
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