BZX55C4V3
Rectron
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 4.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 - 0.025 %/C、稳压管电流 90 mA、稳压管阻抗（Zz） 75 Ω，采用 DO-35-2 封装。
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BZX55C4V3 R0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 4.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 5 mA、稳压管阻抗（Zz） 75 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX55C4V3 R0G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 4.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 75 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX55C4V3-TAP
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 4.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 - 0.03 %/K、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 75 Ω，采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX55C4V3-TR
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 4.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 - 0.03 %/K、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 75 Ω，采用 DO-35-2 封装。
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