BZT55C20
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 0.1 uA、稳压管阻抗（Zz） 55 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 Quadro-Melf-2 封装。
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BZT55C20 L0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 55 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 Quadro Mini-Melf-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT55C20 L1
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 0.1 uA、稳压管阻抗（Zz） 55 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 Quadro Mini-Melf-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT55C20 L1G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT55C20-GS08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.11 %/K、稳压管电流 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 55 Ω，采用 SOD-80 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT55C20-GS18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 6 %、电压温度系数 0.07 %/K、稳压管阻抗（Zz） 55 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-80 封装。
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