BZT52C9V1S
Rectron
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压温度系数 7 mV/C、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-323-2 封装。
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BZT52C9V1S R9G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 5 mA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C9V1S RR
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 0.45 uA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C9V1S RRG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C9V1S-7-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压温度系数 7 mV/C、稳压管电流 200 nA、稳压管阻抗（Zz） 100 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C9V1S-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 5.4 mV/C、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C9V1SQ-7-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 200 mW、稳压管阻抗（Zz） 100 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 SOD-323-2 封装。
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