BZT52C2V4
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 45 uA、稳压管阻抗（Zz） 100 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-123F-2 封装。
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BZT52C2V4
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 120 uA、稳压管阻抗（Zz） 100 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 SOD-123F 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C2V4 RH
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 45 uA、稳压管阻抗（Zz） 100 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-123F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C2V4 RHG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C2V4-13-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括配置 Single、认证等级 AEC-Q101，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C2V4-7-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 8 %、电压温度系数 - 1.75 mV/C、稳压管电流 5 mA、稳压管阻抗（Zz） 100 Ω，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C2V4-E3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 - 400 uV/C、稳压管阻抗（Zz） 85 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C2V4-E3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 - 400 uV/C、稳压管阻抗（Zz） 85 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C2V4-G RHG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C2V4-G3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 410 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 - 0.4 mV/C、稳压管阻抗（Zz） 85 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOD-123-2 封装。
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