BZT52C20
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 0.045 uA、稳压管阻抗（Zz） 55 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-123F-2 封装。
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BZT52C20
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 50 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 SOD-123F 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C20 RH
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 0.045 uA、稳压管阻抗（Zz） 55 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-123F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C20 RHG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C20-13-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 6 %、电压温度系数 16.2 mV/C、稳压管电流 0.1 uA、稳压管阻抗（Zz） 55 Ω，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C20-7-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 6 %、电压温度系数 16.2 mV/C、稳压管电流 5 mA、稳压管阻抗（Zz） 55 Ω，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C20-E3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20 V、耗散功率（Pd） 410 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 1 mV/C、稳压管电流 17 mA、稳压管阻抗（Zz） 50 Ω，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C20-E3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20 V、耗散功率（Pd） 410 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 1 mV/C、稳压管电流 17 mA、稳压管阻抗（Zz） 50 Ω，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C20-G RHG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C20-G3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20 V、耗散功率（Pd） 410 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 1 mV/C、稳压管电流 17 mA、稳压管阻抗（Zz） 50 Ω，采用 SOD-123-2 封装。
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