BZT52B3V3
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、稳压管电流 4.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 95 Ω、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
BZT52B3V3
Rectron
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压温度系数 0 mV/C、稳压管阻抗（Zz） 95 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52B3V3
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、最大反向漏电流（Ir） 50 uA、稳压管阻抗（Zz） 120 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 SOD-123F 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52B3V3 RH
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、稳压管电流 4.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 95 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-123F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52B3V3 RHG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52B3V3-E3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 - 0.3 mV/C、稳压管电流 109 mA、稳压管阻抗（Zz） 95 Ω，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52B3V3-E3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 - 0.3 mV/C、稳压管电流 109 mA、稳压管阻抗（Zz） 95 Ω，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52B3V3-G RHG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52B3V3-G3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 - 300 uV/C、稳压管阻抗（Zz） 95 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52B3V3-G3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 - 0.3 mV/C、稳压管电流 109 mA、稳压管阻抗（Zz） 95 Ω。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes