BZD27C47PH
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 47 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 6 %、稳压管阻抗（Zz） 45 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C，采用 Sub-SMA-2 封装。
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BZD27C47PHR2
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 47 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 6 %、电压温度系数 0.12 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 45 Ω，采用 Sub-SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZD27C47PHR2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 47 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 6 %、电压温度系数 0.12 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 45 Ω，采用 Sub-SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZD27C47PHR3
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 47 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 6 %、电压温度系数 0.12 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 45 Ω，采用 Sub-SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZD27C47PHR3G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 47 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 6 %、电压温度系数 0.12 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 45 Ω，采用 Sub-SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZD27C47PHRQ
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 47 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 6 %、电压温度系数 0.12 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 45 Ω，采用 Sub-SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZD27C47PHRQG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 47 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 6 %、电压温度系数 0.12 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 45 Ω，采用 Sub-SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZD27C47PHRVG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 47 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压温度系数 0.12 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 45 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-219AB-2 封装。
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