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芯片技术资料

5 条型号记录

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Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

ROHM Semiconductor

主要参数包括电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V, 9 V, 12 V, 15 V、高电平输出电流 - 1.2 mA、低电平输出电流 3 mA、逻辑类型 CMOS，采用 SOP-14 封装。

半导体 > 集成电路 > Logic ICs > Logic Gates

Diodes Incorporated

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers

Comchip Technology

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBU-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers

GeneSiC Semiconductor

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V，采用 KBU-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers