BU407
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 330 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-220-3 封装。
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BU407 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 7 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 330 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-220 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBU4070BF-E2
ROHM Semiconductor
主要参数包括电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V, 9 V, 12 V, 15 V、高电平输出电流 - 1.2 mA、低电平输出电流 3 mA、逻辑类型 CMOS。
半导体 > 集成电路 > Logic ICs > Logic GatesGBU407
Taiwan Semiconductor
主要参数包括型号别名 D2 GBU407、单件重量 0.190479 oz，采用 GBU-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU407 D2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBU-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU407 D2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU407-K
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU407-K D2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU407H
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU407HD2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 280 A，采用 GBU-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers