BU406G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-220-3 封装。
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BU406G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 7 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTKBU406G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.317466 oz，采用 KBU-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersKBU406G T0
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 KBU-4 封装。
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