原型号
查看详情 · 9 条候选BU4069UB
Rohm Semiconductor
- CD4069UBETexas Instruments直接替代候选
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技术资料参考
芯片技术资料
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BU406
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBU4066BCF-E2
ROHM Semiconductor
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～18 V、电源电压（最大值） 18 V、电源电压（最小值） 3 V、供电类型 Single Supply、开关数 4 Switch、配置 4 x SPST，采用 SOP-14 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICsBU4066BCFV-E2
ROHM Semiconductor
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～18 V、电源电压（最大值） 18 V、电源电压（最小值） 3 V、供电类型 Single Supply、开关数 4 Switch、配置 4 x SPST，采用 SSOP-14 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICsBU4069UBF-E2
ROHM Semiconductor
主要参数包括电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 1.8 V , 2.5 V , 3.3 V , 5 V、高电平输出电流 - 1.2 mA、低电平输出电流 3 mA、逻辑类型 CMOS、电路数 6 Circuit，采用 SOP-14 封装。
半导体 > 集成电路 > Logic ICs > InvertersBU4069UBFV-E2
ROHM Semiconductor
主要参数包括电源电压（最大值） 18 V、电源电压（最小值） - 300 mV、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V, 9 V, 12 V, 15 V、高电平输出电流 - 1.2 mA、低电平输出电流 3 mA、逻辑类型 CMOS，采用 SSOP-14 封装。
半导体 > 集成电路 > Logic ICs > Logic GatesBU406G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBU406G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 7 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTGBU406
Diodes Incorporated
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU406
Taiwan Semiconductor
主要参数包括型号别名 D2 GBU406、单件重量 0.190479 oz，采用 GBU-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU406 D2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBU-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers