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7 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 65 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-39-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 4 A，采用 TSOP-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区马来西亚、型号别名 934664889115。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 4 A，采用 TSOP-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 360 mW、增益带宽积（fT） 150 MHz，采用 SOT-457 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 10 A，采用 TO-243-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-89-3 封装。

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