BSR14
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 SOT-23-3 封装。
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BSR14
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBSR14,215
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 800 mA、增益带宽积（fT） 300 MHz，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBSR14-QR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、耗散功率（Pd） 250 mW、增益带宽积（fT） 300 MHz、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。
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