BSM15GP120
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Hex、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 2.2 V、25°C 时连续集电极电流 35 A，采用 EconoPIM2 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Modules搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料