BSC010NE2LS
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 25 V、连续漏极电流（Id） 100 A，采用 TDSON-8 封装。
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BSC010NE2LSATMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 25 V、连续漏极电流（Id） 100 A，采用 TDSON-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETBSC010NE2LSI
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 25 V、连续漏极电流（Id） 100 A，采用 PG-TDSON-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETBSC010NE2LSIATMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 25 V、连续漏极电流（Id） 100 A，采用 TDSON-8 封装。
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