BRX48
Central Semiconductor
主要参数包括额定重复断态电压(VDRM) 300 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 1 uA、通态有效值电流(It RMS) 0.8 A、最大栅极峰值反向电压 8 V、门极触发电压(Vgt) 0.8 V、门极触发电流(Igt) 200 uA,采用 TO-92-3 (TO-226-3) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Central Semiconductor
主要参数包括额定重复断态电压(VDRM) 300 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 1 uA、通态有效值电流(It RMS) 0.8 A、最大栅极峰值反向电压 8 V、门极触发电压(Vgt) 0.8 V、门极触发电流(Igt) 200 uA,采用 TO-92-3 (TO-226-3) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs