BR86
Rectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 125 A，采用 BR-8 封装。
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BR86
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 125 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersMBR860MFST1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 8 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 650 mV、正向浪涌电流（Ifsm） 150 A，采用 SO-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR860MFST3G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、型号别名 MBR860MFST1G。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR860ULPS-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 8 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 0.43 V、正向浪涌电流（Ifsm） 275 A，采用 TO-277B-3 封装。
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