PI2EQX6814NJE
Diodes Incorporated
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- DS125BR820NJYTTexas Instruments相似型号
技术资料参考
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GeneSiC Semiconductor
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 125 A、最小工作温度 - 65 C,采用 BR-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersRectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 125 A,采用 BR-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersTexas Instruments
主要参数包括最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、应用 Front Port, Backplane, Peripheral I/O、湿敏性 是、单件重量 0.004783 oz。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > Interface - Signal Buffers, RepeatersTexas Instruments
主要参数包括最大时钟频率 520 kHz、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、接口类型 CML、类型 SMBus、产品 Repeaters、传播延迟时间 80 ps,采用 WQFN-54 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > Interface - Signal Buffers, RepeatersTexas Instruments
主要参数包括最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > Interface - Signal Buffers, RepeatersTexas Instruments
主要参数包括通道数 8 个通道、工作电源电压 2.5 V、电源电压(最大值) 2.625 V、电源电压(最小值) 2.375 V、数据速率 28 Gb/s、输入类型 CML,采用 NFBGA-135 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > Interface - Signal Buffers, Repeaters