BR81
Rectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 125 A，采用 BR-8 封装。
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BR81
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 125 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersBR810
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 125 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersBR810
Rectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 125 A，采用 BR-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDS280BR810ZBFR
Texas Instruments
主要参数包括最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、应用 Backplane, Front Port、湿敏性 是。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > Interface - Signal Buffers, RepeatersDS280BR810ZBFT
Texas Instruments
主要参数包括通道数 8 个通道、工作电源电压 2.5 V、电源电压（最大值） 2.8125 V、电源电压（最小值） 2.1875 V、数据速率 28 Gb/s、输入类型 CML，采用 NFBGA-135 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > Interface - Signal Buffers, RepeatersMBR8100-BP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 8 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 850 mV、反向电流（Ir） 100 uA，采用 TO-220AC 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR8170TFSTAG
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚，采用 WDFN-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR8170TFSTBG
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚，采用 WDFN-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR8170TFSTWG
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚，采用 WDFN-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers