BR610
Rectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 125 A，采用 BR-6 封装。
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原厂资料
2 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SBR6100CTL-13-2084 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR6100CTL-13-2223 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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BR610
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 125 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersSBR6100CTL-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 6 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR6100CTLQ-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 6 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.68 V、正向浪涌电流（Ifsm） 78 A，采用 TO-252-3 封装。
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