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技术资料参考
芯片技术资料
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BR34
Rectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 BR-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersBR34
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersBR34E02FVT-3E2
ROHM Semiconductor
主要参数包括型号别名 BR34E02FVT-3、单件重量 0.006737 oz，采用 TSSOP-B-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMBR34E02FVT-WE2
ROHM Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 0.1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8 V , 2.5 V , 3.3 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-B-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMBR34E02NUX-3TR
ROHM Semiconductor
主要参数包括型号别名 BR34E02NUX-3，采用 VSON008X2030-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMBR34E02NUX-WTR
ROHM Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、存储组织结构 256 x 8，采用 VSON008X2030-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMBR34L02FV-WE2
ROHM Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 0.1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V , 2.5 V , 3.3 V , 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMBR34L02FVT-WE2
ROHM Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-B-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMMBR340G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 40 V，采用 DO-201AD 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR340RLG
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 40 V，采用 DO-201AD 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers